詳細(xì)說明:
為配合Microtech機(jī)組在納米技術(shù)研磨工藝的應(yīng)用，Engis在化學(xué)物理拋光(CMP)的基礎(chǔ)上加入鉆石微粉，研發(fā)了最新的鉆石微粉化學(xué)物理拋光液（Chemical-Mechanical Polishing with Diamond，CMP-D)。有效提升對(duì)超硬材料的研磨，拋光效率及消除對(duì)工件的超微細(xì)損，并對(duì)耐化學(xué)蝕刻的物料提供良好的表面處理能力。
配方：MT6944
應(yīng)用范圍：高硬度材料，特別適用于低折斷強(qiáng)度的物料，如：SiC，GaN等。
特點(diǎn)：強(qiáng)化化學(xué)成分，提供輕度表面酸刻效果。
備注：不適用于低強(qiáng)度物料。
配方：MT7274
應(yīng)用范圍：適應(yīng)性強(qiáng)，能用于所有物料，特別適用于非加壓研磨/拋光工藝的應(yīng)用。
特點(diǎn)：提供非常精細(xì)表面完成度。
備注：非結(jié)晶性，易于清洗及儲(chǔ)存。
配方：MT7459
應(yīng)用范圍：藍(lán)寶石類、硅晶類、激光光電元件類。
特點(diǎn)：高黏度研磨液，提供極佳切削率及細(xì)微表面光潔度。
備注：按工藝需要或需添加Engis潤滑劑（L6037-12）。
配方：MT8557
應(yīng)用范圍：4H及6H碳化硅。
特點(diǎn)：含高濃度鉆石微粉，提高對(duì)碳化硅的切削力及加速化學(xué)酸刻效果。
備注：非常容易清洗。
除了CMP-D拋光液外，Microtech亦提供高效的CMP化學(xué)物理拋光液作選擇。
| 配方 | P2 | P4 | P5 | P7 | P8 |
| 化學(xué)分類 | 鈉（Na） | 鈉（Na） | 阿摩尼亞（NH3） | 鈉（Na） | 鈉（Na） |
| PH值 | 10-11 | 9-10 | 9-10 | 10-11 | 10-11 |
| 黏度（cps） | <10 | <15 | <6 | <6 | <6 |
| 硅粉粒度（nm） | 50-70 | 50-70 | 40-60 | 50-70 | 50-70 |
| 粉粒比例 | 38% | 40% | 25% | 25% | 15% |
| 應(yīng)用范圍 |
氧化鋁/銅
陶瓷 玻璃 藍(lán)寶石類 硅晶類 微電元件 |
氧化鋁/銅 低硬度陶瓷 玻璃 鍺晶類 微電元件 |
陶瓷
玻璃 微電元件 錫金屬類 |
硅晶類 4H及6H碳化硅 |
氧化鋁/銅 低硬度陶瓷 玻璃 硅晶類 微電元件 |
